Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
56 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.6V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
5W (Ta), 50W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2960 pF @ 50 V
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (5x6)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
21.7A (Ta), 68A (Tc)