Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
40A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6400 pF @ 25 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
59.2 nC @ 4.5 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2W (Ta), 62.5W (Tc)