XP83T03GJB
XP83T03GJB
XP83T03GJB
Номер детали:
XP83T03GJB
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 4000
Кол-во
Цена
Итого
4000+
$0.4
$1600
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Last Time Buy
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
60W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
75A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 10V
Корпус
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
34 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1840 pF @ 25 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-251S
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-