XR46000ESE
XR46000ESE
XR46000ESE
Номер детали:
XR46000ESE
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Obsolete
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
170 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
20W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Поставщик Устройство Корпус
SOT-223-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Vgs (макс.)
±30V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1.5A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7.5 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8Ohm @ 750mA, 10V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-