Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
170 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
20W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Поставщик Устройство Корпус
SOT-223-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1.5A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7.5 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8Ohm @ 750mA, 10V