ALD110914PAL FET、MOSFET 阵列_恒意法电子_电容器_电感器_电位计_光电器件

零件编号：	ALD110914PAL
产品分类：	FET、MOSFET 阵列
制造商：	Advanced Linear Devices, Inc.
描述：	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
封装：
包装：	管子
数量：	0
RoHS 状态：	YES
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零件编号：

ALD110914PAL

产品分类：

FET、MOSFET 阵列

制造商：

Advanced Linear Devices, Inc.

描述：

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

封装：

包装：

管子

数量：

RoHS 状态：

YES

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Advanced Linear Devices, Inc.
系列	EPAD®
包裹	管子
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-DIP (0.300", 7.62mm)
安装类型	Through Hole
配置	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
工作温度	0°C ~ 70°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大	500mW
漏源电压 (Vdss)	10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	12mA, 3mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	2.5pF @ 5V
Rds On（最大）@Id、Vgs	500Ohm @ 5.4V
Vgs(th)（最大值）@Id	1.42V @ 1µA
供应商设备包	8-PDIP

替代型号

                                          ALD110914PAL                                        

                                          ALD                                        

                                        Mosfet Arrays                                      