类型 | 描述 |
制造商 | Vishay / Siliconix |
系列 | TrenchFET® |
包裹 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | OBSOLETE |
包装/箱 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | P-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 270mA (Ta) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
功耗(最大) | 800mW (Ta) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 3V @ 250µA |
供应商设备包 | TO-92-18RM |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 60 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 3 nC @ 15 V |