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IRF200B211XKMA1

零件编号 IRF200B211XKMA1
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 IR (Infineon Technologies)
描述 TRENCH >=100V
封装
包装 管子
数量 0
RoHS 状态 YES
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总价

3000

$0.6615

$1,984.5000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs170mOhm @ 7.2A, 10V
功耗(最大)80W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.9V @ 50µA
供应商设备包PG-TO220-3-904
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs23 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds790 pF @ 50 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
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Roving Networks (Microchip Technology)
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Roving Networks (Microchip Technology)
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MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
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