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SCT012H90G3AG

零件编号 SCT012H90G3AG
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 STMicroelectronics
描述 H2PAK-7
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 0
RoHS 状态 YES
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$31.5630

$31,563.0000

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产品参数
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C110A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs15.8mOhm @ 60A, 18V
功耗(最大)625W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 10mA
供应商设备包H2PAK-7
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 18V
Vgs(最大)+18V, -5V
漏源电压 (Vdss)900 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs138 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3880 pF @ 600 V
资质AEC-Q101
替代型号
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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