SSM3J145TU,LXHF 单 FET、MOSFET_恒意法电子_电容器_电感器_电位计_光电器件

零件编号：	SSM3J145TU,LXHF
产品分类：	单 FET、MOSFET
制造商：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述：	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
封装：
包装：	卷带式 (TR)
数量：	4346
RoHS 状态：	NO
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零件编号：

SSM3J145TU,LXHF

产品分类：

单 FET、MOSFET

制造商：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述：

SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V

封装：

包装：

卷带式 (TR)

数量：

4346

RoHS 状态：

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	U-MOSVI
包装	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	3-SMD, Flat Leads
安装类型	Surface Mount
工作温度	150°C
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs	103mOhm @ 1A, 4.5V
功耗（最大）	500mW (Ta)
Vgs(th)（最大值）@Id	1V @ 1mA
供应商设备包	UFM
年级	Automotive
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	1.5V, 4.5V
Vgs（最大）	+6V, -8V
漏源电压 (Vdss)	20 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	270 pF @ 10 V
资质	AEC-Q101

类型

描述

制造商

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

系列

U-MOSVI

包装

卷带式 (TR)

产品状态

ACTIVE

包装/箱

3-SMD, Flat Leads