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TP65H050G4YS

零件编号 TP65H050G4YS
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Transphorm
描述 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
封装
包装 管子
数量 402
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$15.0780

$15.0780

10

$13.2825

$132.8250

450

$10.4055

$4,682.4750

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
功耗(最大)132W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TO-247-4L
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1000 pF @ 400 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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