类型 | 描述 |
制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
系列 | U-MOSVI-H |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | 2 N-Channel (Dual) |
工作温度 | 150°C |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
功率 - 最大 | 1.5W (Ta) |
漏源电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3.8A |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 640pF @ 10V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 57mOhm @ 1.9A, 10V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.3V @ 100µA |
供应商设备包 | 8-SOP |