TPHR6503PL1,LQ 单 FET、MOSFET_恒意法电子_电容器_电感器_电位计_光电器件

零件编号：	TPHR6503PL1,LQ
产品分类：	单 FET、MOSFET
制造商：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述：	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
封装：
包装：	卷带式 (TR)
数量：	15151
RoHS 状态：	NO
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零件编号：

TPHR6503PL1,LQ

产品分类：

单 FET、MOSFET

制造商：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述：

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ

封装：

包装：

卷带式 (TR)

数量：

15151

RoHS 状态：

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	U-MOSIX-H
包装	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-PowerTDFN
安装类型	Surface Mount
工作温度	175°C
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	150A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	0.65mOhm @ 50A, 10V
功耗（最大）	960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.1V @ 1mA
供应商设备包	8-SOP Advance (5x5.75)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	30 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	110 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	10000 pF @ 15 V

类型

描述

制造商

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

系列

U-MOSIX-H

包装

卷带式 (TR)

产品状态

ACTIVE

包装/箱

8-PowerTDFN