TRS12V65H,LQ 单二极管_恒意法电子_电容器_电感器_电位计_光电器件

零件编号：	TRS12V65H,LQ
产品分类：	单二极管
制造商：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述：	G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8
封装：
包装：	卷带式 (TR)
数量：	4962
RoHS 状态：	YES
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零件编号：

TRS12V65H,LQ

产品分类：

单二极管

制造商：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述：

G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8

封装：

包装：

卷带式 (TR)

数量：

4962

RoHS 状态：

YES

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包装	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	4-VSFN Exposed Pad
安装类型	Surface Mount
速度	No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)	0 ns
技术	SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F	778pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)	12A
供应商设备包	4-DFN-EP (8x8)
工作温度 - 结	175°C
电压 - 直流反向 (Vr)（最大）	650 V
电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	1.35 V @ 12 A
电流 - 反向漏电流@Vr	120 µA @ 650 V

类型

描述

制造商

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

系列

包装

卷带式 (TR)

产品状态

ACTIVE

包装/箱

4-VSFN Exposed Pad

安装类型