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VS-GT100TS065N

零件编号 VS-GT100TS065N
产品分类 IGBT模块
制造商 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
描述 MODULES IGBT - IAP IGBT
封装
包装 盒子
数量 12
RoHS 状态 YES
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总数

数量

价格

总价

1

$75.5790

$75.5790

15

$68.4915

$1,027.3725

105

$61.4040

$6,447.4200

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列-
包装盒子
产品状态ACTIVE
包装/箱Module
安装类型Chassis Mount
输入Standard
配置Half Bridge Inverter
工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic2.3V @ 15V, 100A
NTC热敏电阻No
供应商设备包INT-A-PAK IGBT
IGBT类型Trench Field Stop
集电极电流 (Ic)(最大)96 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)650 V
功率 - 最大259 W
电流 - 集电极截止(最大)50 µA

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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