GE17042CCA3
رقم الجزء
GE17042CCA3
تصنيف المنتجات
FET، صفائف MOSFET
الصانع
GE Aerospace
وصف
MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULE
تغليف
Bulk
التعبئة
الكمية
1612
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$2964.5
$2964.5
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Chassis Mount
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
التأهيل
AEC-Q101
الحزمة / العلبة
Module
المورد الجهاز الحزمة
Module
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
الطاقة - الحد الأقصى
1250W
تكنولوجيا
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1700V (1.7kV)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
425A (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 160mA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
4.45mOhm @ 425A, 20V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1207nC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
29100pF @ 900V
أحدث المنتجات
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
onsemi
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
onsemi
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC