IRF840
رقم الجزء
IRF840
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Vishay Siliconix
وصف
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Through Hole
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
الحزمة / العلبة
TO-220-3
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
500 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
8A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1300 pF @ 25 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP