IRFD9113
رقم الجزء
IRFD9113
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Vishay Siliconix
وصف
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Through Hole
درجة حرارة التشغيل
-
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
نوع FET
P-Channel
المورد الجهاز الحزمة
4-HVMDIP
الحزمة / العلبة
4-DIP (0.300", 7.62mm)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
60 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
600mA (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
-
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 15 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
250 pF @ 25 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP