LN60A01ES-LF-Z
رقم الجزء
LN60A01ES-LF-Z
تصنيف المنتجات
FET، صفائف MOSFET
الصانع
Monolithic Power Systems Inc.
وصف
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
تغليف
Tape & Reel (TR)
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Surface Mount
الحزمة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
المورد الجهاز الحزمة
8-SOIC
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
-
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.2V @ 250µA
الطاقة - الحد الأقصى
1.3W
درجة حرارة التشغيل
-20°C ~ 125°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
600V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
80mA
تكوين
3 N-Channel, Common Gate
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
190Ohm @ 10mA, 10V
أحدث المنتجات
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
onsemi
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
onsemi
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC