TPC8207(TE12L)
رقم الجزء
TPC8207(TE12L)
تصنيف المنتجات
FET، صفائف MOSFET
الصانع
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8SOP
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
20V
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
الطاقة - الحد الأقصى
750mW
الحزمة / العلبة
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
المورد الجهاز الحزمة
8-SOP (5.5x6.0)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
6A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
20mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.2V @ 200µA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22nC @ 5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2010pF @ 10V
أحدث المنتجات
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
onsemi
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
onsemi
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC