IRF510
Número de pieza
IRF510
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET Característica
-
Disipación de Potencia (Máx.)
43W (Tc)
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220AB
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil