IRFD9110
Número de pieza
IRFD9110
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de FET
P-Channel
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Proveedor Dispositivo Paquete
4-HVMDIP
Paquete / Carcasa
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Disipación de Potencia (Máx.)
1.3W (Ta)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
700mA (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 420mA, 10V
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