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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
AS1M025120T
Numéro de pièce
AS1M025120T
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1613
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$40.49
$40.49
30
$26.84
$805.2
120
$26.84
$3220.8
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
370W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 1000 V
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