AS1M025120T
Référence :
AS1M025120T
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
13
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$40.49
$40.49
30+
$26.84
$805.2
120+
$26.84
$3220.8
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
370W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 1000 V
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