FF06020J-7A
Référence :
FF06020J-7A
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
300
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$39.06
$39.06
10+
$14.32
$143.2
100+
$13.34
$1334
4000+
$13.02
$52080
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Dissipation de puissance (Max)
333W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 35A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 60mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
194 nC @ 15 V
Vgs (Max)
18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4437 pF @ 400 V
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