HUF75329P3
HUF75329P3
HUF75329P3
Référence :
HUF75329P3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
3077
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 384
Qté
Prix
Total
384+
$0.86
$330.24
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-3
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220-3
Tension Drain-Source (Vdss)
55 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 25 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Dissipation de puissance (Max)
128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 49A, 10V
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-