NC1M120C75GTNG
Référence :
NC1M120C75GTNG
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
2400
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 50
Qté
Prix
Total
50+
$16.27
$813.5
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 5mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (Max)
288W (Ta)
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