NP82N04NDG-S18-AY
NP82N04NDG-S18-AY
NP82N04NDG-S18-AY
Référence :
NP82N04NDG-S18-AY
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 135
Qté
Prix
Total
135+
$2.45
$330.75
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Boîtier
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Température de fonctionnement
175°C
Dissipation de puissance (Max)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 41A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263 (MP-25SK)
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