XP2N1K2EN1
XP2N1K2EN1
XP2N1K2EN1
Référence :
XP2N1K2EN1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
894
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.37
$0.37
10+
$0.23
$2.3
100+
$0.14
$14
500+
$0.11
$55
1000+
$0.09
$90
2000+
$0.08
$160
5000+
$0.07
$350
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension Drain-Source (Vdss)
20 V
Vgs (Max)
±8V
Dissipation de puissance (Max)
150mW (Ta)
Boîtier
SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-723
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
44 pF @ 10 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 2.5 V
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