AOT66918L
AOT66918L
AOT66918L
Référence :
AOT66918L
Catégorie :
-
Description :
LINEAR IC
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1000
Qté
Prix
Total
1000+
$3.76
$3760
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-3
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (Max)
10W (Ta), 375W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
33A (Ta), 120A (Tc)
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