CC-C2-B15-0322
Référence :
CC-C2-B15-0322
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
5
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 5
Qté
Prix
Total
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
100W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Vgs (Max)
+15V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 200 V
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