FK4B01100LE
FK4B01100LE
FK4B01100LE
Référence :
FK4B01100LE
Catégorie :
-
Description :
SINGLE NCH MOSFET 12V, 3.4A, 27M
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
980
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.66
$1.66
10+
$1.05
$10.5
100+
$0.7
$70
500+
$0.55
$275
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Dissipation de puissance (Max)
360mW (Ta)
Vgs (Max)
±8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Tension Drain-Source (Vdss)
12 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
1.5V, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
275 pF @ 10 V
Boîtier
4-XFLGA, CSP
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 236µA
Fournisseur Dispositif Emballage
4-CSP (0.8x0.8)
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