FK4B01110LE
FK4B01110LE
FK4B01110LE
Référence :
FK4B01110LE
Catégorie :
-
Description :
SINGLE NCH MOSFET 12V, 2.3A 57MO
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
975
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.39
$1.39
10+
$0.87
$8.7
100+
$0.58
$58
500+
$0.45
$225
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Vgs (Max)
±8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tension Drain-Source (Vdss)
12 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
1.5V, 4.5V
Boîtier
4-XFLGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (Max)
340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 118µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
2.55 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
274 pF @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
ALGA004-W-0606-RA01
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