IPB175N20NM6ATMA1
Référence :
IPB175N20NM6ATMA1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
IPB175N20NM6ATMA1
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.69
$26.9
100+
$1.88
$188
500+
$1.66
$830
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 105µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 100 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TO263-3-U01
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 38A, 15V
Dissipation de puissance (Max)
3.8W (Ta), 203W (Tc)
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