NC1M120C12WDCU
Référence :
NC1M120C12WDCU
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Boîtier :
Conditionnement :
Tray
Quantité :
2180
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 218
Qté
Prix
Total
218+
$45.35
$9886.3
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
Die
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Fournisseur Dispositif Emballage
Wafer
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
214A (Tc)
Vgs (Max)
+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 20V
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