TK155U60Z1,RQ
Référence :
TK155U60Z1,RQ
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
4000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.81
$3.81
10+
$2.48
$24.8
100+
$1.73
$173
500+
$1.5
$750
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Température de fonctionnement
150°C
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Vgs (Max)
±30V
Dissipation de puissance (Max)
130W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Boîtier
8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 610µA
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLL
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 5.4A, 10V
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