XP231N0201TR-G
XP231N0201TR-G
XP231N0201TR-G
Référence :
XP231N0201TR-G
Catégorie :
-
Description :
MOSFET N-CH 30V 200MA
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2860
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.29
$0.29
10+
$0.17
$1.7
100+
$0.11
$11
500+
$0.08
$40
1000+
$0.07
$70
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Dissipation de puissance (Max)
400mW (Ta)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
2.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 10mA, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
0.18 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6.5 pF @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23 (TO-236)
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