パッケージ / ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
コンフィギュレーション
N and P-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
25nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
300pF @ 15V