テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ / ケース
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
FETフィーチャー
Logic Level Gate
コンフィギュレーション
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
375pF @ 10V, 360pF @ 10V