Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
100mA (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Поставщик Устройство Корпус
Die
Vgs(th) (макс.) при Id
900mV @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.5V, 4V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
566 pC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4 pF @ 3 V