GPI65005DF
Номер детали:
GPI65005DF
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
137
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$2.75
$2.75
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5A
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.4V @ 1.75mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
+7.5V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
45 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код