GPI65030DFN
Номер детали:
GPI65030DFN
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
91
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$16.5
$16.5
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Vgs (макс.)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
5.8 nC @ 6 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
241 pF @ 400 V
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код