Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
500 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
63 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1300 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
125W (Tc)