Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
150°C
Рассеиваемая мощность (максимальная)
190W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
42 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
24A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
115mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 1.02mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2280 pF @ 300 V