2301H
零件编号：
2301H
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
4351
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$0.29
$0.29
10
$0.17
$1.7
100
$0.11
$11
500
$0.08
$40
1000
$0.07
$70
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
场效应晶体管类型
P-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.4V @ 250µA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
75mOhm @ 3A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.5 nC @ 2.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
366 pF @ 15 V
最大功耗
890mW (Tc)
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