3415A
零件编号:
3415A
产品分类:
单 FET、MOSFET
制造商:
Goford Semiconductor
描述:
P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
数量:
4746
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$0.34
$0.34
10
$0.21
$2.1
100
$0.13
$13
500
$0.1
$50
1000
$0.09
$90
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
场效应晶体管类型
P-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4A (Tc)
最大栅源电压
±10V
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
2.5V, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
950 pF @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
45mOhm @ 4A, 4.5V
最大功耗
1.4W (Tc)
最新产品
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP