18923764396
取消

A5G21H605W19NR3

零件编号 A5G21H605W19NR3
产品分类 RF FET、MOSFET
制造商 NXP Semiconductors
描述 RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 0
RoHS 状态 NO
分享
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商NXP Semiconductors
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱OM-780-4S4S
安装类型Surface Mount
频率2.11GHz ~ 2.2GHz
功率输出85W
获得15.1dB
技术GaN
供应商设备包OM-780-4S4S
额定电压125 V
电压 - 测试48 V
当前-测试300 mA
相似型号
A5G21H605W19N
恩智浦-NXP
2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Roving Networks (Microchip Technology)
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
Omron Electronic Components
SENSOR OPT REFLECTIVE 5MM 5DIP
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER VERT 1POS
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER VERT 1POS
关闭
Inquiry
captcha

18923764396

点击这里给我发消息
0