AC3M0280090D
零件编号：
AC3M0280090D
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
APSEMI
描述：
SIC MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
封装：
Tube
包装：
数量：
1900
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$3.55
$3.55
11
$3.32
$36.52
51
$2.96
$150.96
101
$2.13
$215.13
501
$1.78
$891.78
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-247-3
工作温度
-55°C ~ 150°C
漏极至源极电压 (Vdss)
900 V
供应商器件封装
TO-247-3
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
11A
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+19V, -8V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
360mOhm @ 7.5A, 15V
最大功耗
47W
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.7V @ 1.2mA
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