AMTP65H150G4PS
零件编号：
AMTP65H150G4PS
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Analog Power Inc.
描述：
GAN FET N-CH 650V TO-220
封装：
Tube
包装：
数量：
1601
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$7.27
$7.27
50
$5.8
$290
100
$5.19
$519
500
$4.58
$2290
1000
$4.12
$4120
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
供应商器件封装
TO-220AB
封装 / 外壳
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1V @ 250µA
最大功耗
300W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
13A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
598 pF @ 400 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
150mOhm @ 10A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8 nC @ 6 V
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