AS1M040120T
零件编号：
AS1M040120T
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
描述：
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封装：
Tube
包装：
数量：
1601
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$24.98
$24.98
30
$15.87
$476.1
120
$14.61
$1753.2
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
330W (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-4
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 10mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+25V, -10V
供应商器件封装
TO-247-4
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
55mOhm @ 40A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
142 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2946 pF @ 1000 V
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