BSS123
零件编号：
BSS123
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
37246
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$0.14
$0.14
10
$0.09
$0.9
100
$0.05
$5
500
$0.04
$20
1000
$0.03
$30
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
5Ohm @ 200mA, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
最大功耗
350mW (Ta)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
供应商器件封装
SOT-23
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
14 pF @ 50 V
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