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BY25Q128ESSIG(T)

零件编号 BY25Q128ESSIG(T)
产品分类 记忆
制造商 BYTe Semiconductor
描述 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
封装
包装 管子
数量 9500
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$1.5015

$1.5015

10

$1.3440

$13.4400

95

$1.0500

$99.7500

285

$0.9765

$278.3025

570

$0.8610

$490.7700

1045

$0.6825

$713.2125

2565

$0.6405

$1,642.8825

5035

$0.6090

$3,066.3150

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率120 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页60µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7.5 ns
记忆组织16M x 8

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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